半导体行业术语表

半导体

一种能够在导电和绝缘状态之间转换的材料，这与导体或绝缘体不同。典型的半导体材料有硅、锗以及砷化镓（一种化合物半导体）。半导体可以在导体和绝缘体状态之间转换，从而实现开/关切换。

通过对半导体进行掺杂，即有意地向未掺杂的半导体中加入少量带有多余电子（n型掺杂）或电子较少（p型掺杂）的杂质原子，可以改变掺杂后半导体内部载流子的迁移率，从而使半导体进入导电状态。

薄膜沉积

将薄层材料沉积到衬底(通常是半导体晶圆）上的过程，使用各种沉积方法，包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。这些方法产生的材料厚度从几纳米到几微米不等。

沉积

沉积是指在晶圆片表面涂上一层薄薄的材料。这些材料可以是导电的(金属)或介电的(绝缘)，用于特定的电气目的。沉积技术各不相同，常见的方法包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，化学气相沉积(CVD)，溅射和原子层沉积(ALD)，后者在原子级上操作。

CE! (原样复制)

 一种政策要求，所有可能影响原材料、半成品和成品的形状、适合度和功能的制造工艺步骤保持固定不变或在未经客户事先通知和批准的情况下不得更改。这是一项半导体行业标准，确保客户始终获得一致的产品性能。 

等离子体

等离子体是继固体、液体和气体之后的第四种物质状态。它由离子、电子和自由基组成。虽然太阳是等离子体的最大天然来源，但在半导体制造中，等离子体是在等离子体室中使用各种气体(如氮气、氩气和氯气)产生的。这些气体转化为等离子体利用各种能源，包括高直流电压，微波，特别是，射频。

导体

半导体工业中使用的一种材料或物质，它能使电流很容易地通过。一般来说，金属——如铜、铝、银和金——是良好的导电体。它们是电子设备生产中必不可少的组成部分，对这些设备的性能和可靠性起着至关重要的作用。

电容器

电容器是一种能够储存电荷的无源电子元件。相关的物理性质为容值，它表示在给定的施加电压下可以存储多少电荷。电容器是一种可用于调整电网的阻抗的电抗元件，从而实现电源与负载之间的最大功率传输。

真空电容器是射频阻抗匹配网络中最关键的元件之一，可以固定为一个值或在定义的电容范围内变化。

电源

电源用于半导体制造设备中提供可靠和稳定的电力来源。该设备需要恒定和精确的电力供应才能正常运行并生产高质量的半导体产品。

射频电源通常与阻抗匹配网络和滤波器结合使用，其输出功率可根据应用需求在几毫瓦到数千瓦之间变化。

等离子体腔室

等离子体是在专门的等离子腔中产生的，这是为沉积沉积或蚀刻工艺量身定制的。这些腔室由惰性材料构成，主要由耐腐蚀的不锈钢或陶瓷制成，在这些过程中抵抗降解。

等离子体产生的几个组成部分是不可或缺的。射频电源提供射频功率使气体电离。保持对腔内等离子体的精确控制对于优化每个晶圆上单个芯片的性能至关重要。

硅

硅(Si)是原子序数为14(即14个电子)的化学元素。它的重要性不在于稀缺，而在于丰富;硅在地壳中的含量仅次于氧。使硅与众不同的是它的半导体特性。与纯导电或绝缘材料不同，半导体具有在导电和绝缘状态之间转换的独特能力。这一特性对晶体管的发展和二进制代码的基本基础至关重要，使0秒和1秒的表述成为可能。

后端

在前端工艺之后的半导体制造过程的最后阶段。在后端工艺中，加工好的晶圆分割成芯片，在经过封装，测试，最后准备出厂为成品。

集成电路(也叫微芯片)

一种由半导体材料(如硅）制成的小型电子装置，其中包含许多功能电子元件，如晶体管、二极管、电阻和电容器。这些组件在一块半导体材料上相互连接，这通常是一个更大晶圆上的小芯片。

晶片

晶片一种圆形半导体材料的薄片，通常由硅制成，用作制造集成电路(ICs) 和其他微电子器件的衬底晶圆片的厚度约为0.7 - 0.9毫米，由其直径定义。最常见的晶圆直径为300mm。

技术节点

指用于制造 集成电路(ICs) 或者 芯片的特定制造过程及其设计规则。不同的节点意味着不同的电路发展和架构，通常以 纳米 (nm)表示。

洁净室

通常用于生产微处理器、存储芯片和电子元件，在确保现代技术的可靠性和性能方面起着至关重要的作用。这是一个高度控制和无菌的设施，这里的空气质量，温度，湿度和其他环境因素会受到严格调节，以尽量减少组件污染的风险。

良品率

指在晶圆上生产的良好(即功能齐全)芯片与芯片总数的百分比。它是对生产过程的效率和效果的衡量。

摩尔定律

根据戈登·摩尔在1965年的观察，该定律指出，集成电路 (微芯片)中的晶体管数量每两年翻一番，导致计算能力呈指数级增长，每个晶体管的成本下降。

纳米 (纳米)

相当于十亿分之一米的测量单位。通常用于半导体工业中测量晶体管的(关键)尺寸。

OEM

指原始设备制造商，是指生产用于其他公司的组件或产品的公司，作为其品牌的最终产品的一部分。OEM根据设计规范，以及政府和行业标准确保他们的产品运行可靠，安全。在半导体行业，OEM通常是指设备制造商。

平板显示器 (FPD)

一种利用小、平、薄的电子视觉显示技术在屏幕上显示图像的设备。通常用于显示器、电视、智能手机和平板电脑。

前端

前端工艺指半导体制造过程的两个主要阶段中的第一个阶段(另一个阶段是后端工艺）.

前端工艺包括几个工艺步骤，如晶圆制备、氧化、沉积、光刻、蚀刻、掺杂、离子注入、退火和抛光。在集成芯片 (ICs). 的制造过程中，每个工艺步骤可以多次应用。这些详细的前端工艺步骤对于制造高质量的半导体器件至关重要。

蚀刻

有选择地从晶圆片表面去除不需要的材料以产生所需的特征或图案的过程称为蚀刻。导体蚀刻涉及去除导电(金属)材料，而介电蚀刻需要消除介电(绝缘)材料。需要更高的能量和更高的射频功率来打破介电材料之间的强原子键。

在普遍的方法中，等离子蚀刻解决了行业面临的挑战，如低选择性、表面粗糙度和纵横比依赖性，特别是在创建高纵横比(HAR)特征时，如硅通孔(tsv)。原子层蚀刻(ALE)在原子级上操作，这是一种用于制作复杂3D特征的尖端技术，例如FinFET晶体管中的栅极(GAA)。

微机电系统

代表微机电系统。MEMS器件是集成在半导体芯片上的电子器件的微型化机械和机电元件。MEMS的物理尺寸范围从几毫米到不到一微米，这个尺寸比人类头发的宽度小很多倍。

微芯片(也叫集成电路)

一种由半导体材料(如硅），制成的小型电子装置，其中包含许多功能电子元件，如晶体管、二极管、电阻和电容器这些组件在一块半导体材料上相互连接，这通常是一个更大晶圆上的小芯片。

无尘服

洁净室工作人员所穿的防护服对于保持洁净室内的整洁状态起着至关重要的作用。这种让人看起来像超大兔子的防护服的设计是为了防止进入或离开洁净室时造成污染，因为即使是微小的颗粒或微生物也会对敏感的工艺和产品产生重大影响。

因此无尘服的目的不是对人体进行防护，而是保护洁净室环境。

与非 / 3D 与非

NAND是一种非易失性闪存技术，用于智能手机、固态硬盘(ssd)和USB驱动器等电子设备。它被称为“非易失性”，因为它即使在电源关闭时也能保留数据。3D NAND是一种存储架构，其中NAND存储单元被设计成垂直堆叠在一起，以增加存储密度。在一个晶体管上堆叠的电池层越多，存储密度就越大。

阻抗匹配网络

一种电路，用于使输出或负载的阻抗与传输线或网络的阻抗相匹配。其目的是使输出和负载之间的功率传输最大化，同时使反射功率最小化。匹配网络通常用于射频和微波电路中，其中输出和负载的阻抗可以根据信号的频率和/或目标等离子体腔的条件而变化很大。阻抗匹配网络的设计取决于电路的具体要求，如输出和负载的频率范围、功率级、额定电压、额定电流和阻抗。

允许匹配阻抗的电抗元件通常是一个或多个可变电容，由于多数应用涉及高电功率，可变真空电容因此成为现代半导体制造工艺中使用的可靠阻抗匹配网络中最受欢迎的电抗元件。