新的性能要求使创新变得至关重要

越来越小的芯片需要更高的性能，这增加了芯片制造商蚀刻/沉积工艺的数量，带来了更快的工艺和更频繁、更小的步骤。

15 年前的标准是每年约 1 米周期。现在，基准线更接近于每三个月 1 米 周期，甚至更低。这些年来，驱动速度也大幅提高： 从最初的 180 RPM-360 RPM，到现在需要高达 1200 RPM。

由于对匹配网络以及真空电容的速度和循环次数的性能要求越来越高，传统真空电容的使用寿命（主要取决于波纹管或驱动系统等运动部件的失效时间）大幅缩短。

对于真空电容驱动系统的所有部件来说，必要的速度和增加的循环次数都是一项挑战，而且由于螺杆和螺母的摩擦和磨损，使用寿命也受到限制。 金属颗粒残留物与润滑油混合后会产生糊状混合物，导致扭矩增加，最终导致故障。扭矩增大还可能导致导螺杆堵塞，进而导致驱动系统堵塞。

对新技术的需求显而易见。